有源区DIFF 和 注入区NIMP/PIMP
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请问，这两个区域，哪一个是有真正的掩模版来做的?能具体点最好了，谢谢啦！
有源区定义的是氧化物上的开口；NIMP/PIMP定义的是在半导体的开口区域中掺入N型杂质还是P型杂质
谢谢回复！
但是根据工艺流程（可参考IC Layout Basics - A Practical Guide一书），薄氧是不要用到掩模版的吧?只有注入杂质时用到吧?我是这么理解的，不知道有没错?
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