拉扎伟中文版课后习题P80,3.17（b），哪个管子先进入饱和区？

当Vin<Vth时候，M1截止，M1的漏极处在Vb1-vth,Vout电压是VDD
当Vin稍微大于Vth ,电流还很小的时候，M1和M2进入饱和区，M3在线性区
Vin再升，一般会是M1 M2 M3都饱和，这是设计时候理想的偏置情况，
此后Vin再往上升M1和M2那个先进入线性区，要看具体情况而定

M1是否在饱和区还要看VB1的电压

    当Vin<Vth时候，M1截止，M1的漏极处在Vb1-vth,Vout电压是VDD
兄弟，你所提到的M1的漏极电压在Vb1-vth，我很有兴趣，所以专门仿真了一下，发现不是这样子的啊
最近做拉扎伟的课后习题，这一类的问题搞得我头昏脑胀的

    中间这个管子的阈值电压为1.6V，下面这个管子的阈值电压为1V。

    我只是把NMOS管当作理想模型，按拉扎维书上47页的思路分析而已，实际上考虑到亚阈效应，M1的漏极会在Vb-Vth和Vout之间的某点

    我夸专业学习模拟ic，很多器件物理的知识不深，您说的，我虽不理解但也记下来了
非常感谢

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