请高手指点一下，这些LDO的工艺情况大多是怎样的啊

想自己做个LDO玩玩，研究学习下。看了几份主流的LDO spec ,全部引脚就输入输出地+EN。
输入是2.5V 到 5.5V , 极限工作电压是6.5V , 输出电流300mA左右，工艺上是如何实现的啊?
(a)如果全部用5V的普通CMOS管，其工作电压已经是5.5V ，好像行不通。
(b)如果全部用DMOS管，其带隙基准及管子的匹配特性会好吗。
(c)会否是2.5V或者1.8V的普通管子+DMOS管，首先是一个粗糙的bandgap和内部LDO（两者由DMOS构成）把2.5V-5V的输入电压转化为1.8V的内部电压，这个内部电压供给进一步的bandgap(2.5V或者1.8V的普通管)，然后最后EA和PASS管由DMOS构成。
请高手指点一下，这些LDO的工艺情况大多是怎样的啊,谢谢！

1).极限工作电压是6.5V----一般fab提供的VGS=VDS=5.5V的低压MOS管，其耐压可以达到6.5V。但超负荷应用，会加快器件老化。通常fab不会推荐设计工程师使用极限电压去设计电路。
2).目前流行的LDO，还不会使用BCD工艺去设计，DMOS通常用于功率管，提高电流驱动能力，节省一定面积。而不是用于6.5V的VIN设计！
3).如果是高压LDO，通常内部会使用Zener或者其他结构去实现一个高低压转换的regulator。给低压电路提供供电。

谢谢楼上的回复！你的意思是这些LDO都是普通5V标准CMOS工艺做的?

受教了，謝謝！

    谢谢楼上的回复！你的意思是这些LDO都是普通5.5V普通CMOS工艺做的? 还是5V的普通管子?

极限工作电压应该不是工作电压。一般5v的管子在5.5长时间工作没问题，再超压也能工作，但可能寿命就下降，继续超电压后马上失效，应该就是这里的极限电压。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。