比较器的backgating effect
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我最近看文件，里面的比较器(如附图)提到一段：
In this latch the cross-coupled devices (M2A, M2B) and (M3A, M3B) are
strobed at their drains, rather than sources, to eliminate
backgating effects and promote faster regeneration
请问为何此架构比较器，backgating effects可以消除?
还有backgating effects是什么?
backgate通常是指MOS管的body端！backgating effects应该就是body effect！
学习学习
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