为什么带隙基准电压的波形会随温度上升或下降而下降(向下凹)

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因为你的每条支路的电流太大了，把电阻调大，电流调小。
看不到你的图

不知道什么原因，图传不上去

我不太理解的是波形是两端下弯的呈拱形，是什么原因导致的

5# chworm
下凹，上凸的情况都碰到过，我觉得是BG电压由具有正温度系数的电压V1和负温度系数的电压V2相加得到，如果 |dV1/dT| 随温度增大，而 |dV2/dT| 随温度减小， 那么BG的电压的温度系数就会从负的变成0，然后再变为正的，从而就会出现下凹的情况。 你可以仿真看看这两个值随温度变化情况。

好像是由晶体管的二阶温度系数决定的，一般双极带隙基准温度曲线向上凸（和小编说的不一样），利用MOS亚阈值做的基准温度曲线向下凹。

我是用双极带隙基准+放大器做的，是非常传统的那种带隙基准。突然被老师问了，这个问题，一下傻了……

看不到图 我也是最近做一个bandgap电路的反向设计  希望多学点这方面的

detVBE正温度系数与VBE负温度系数补偿的结果，一般在室温下要保持零温度系数，因此室温下曲线一般位于最高点，高温和低温下都要低一些

7楼是正解，是diode的二阶温度系数决定的，经典温度补尝只是补的一阶温度系数，找gray的书看看好像有推导

不错，7楼说的很对，向上向下没什么大碍，我还见过向上凸的亚阈值MOS 基准，精度和温度系数高才是最重要的

It's up to your resistor-type 2nd temp coilficient. nothing with BJT.
you know, poly resistors have at least negative(about 50/Sq) and positive(about 2k/Sq) temp coilficient. if you used high resistor/Sq, you will find the 2nd effect rain bow(Up and Low)...
especially when higer oder temp compensation.

学习中啊！

如果你采用的是普通结构，VREF=Vbe+K(d)Vbe 曲线一般是上凸的。
这是因为Vbe负温度不是线性的，温度高的时候变化大。
如果你的曲线是下凹，很有可能是你的运放设计的不好，温度变化时候，出现比较大的增益变化。查看一下，你的运放输入两端，是不是已经不相等了,随着温度的变化?

   
这个说法还比较靠谱，前面的所谓二阶效应基本上不靠谱。

PTAT本身对于温度变化并不是线性的，要想提高提高温漂性能，非线性的补偿是需要的，有兴趣可以看看
curvature-corrected bandgap

hao a xiexie a

我的理解是跟diode的二阶温度系数及电阻的温度系数有关

看不到图。
你是仿真的结果吗?那可能是 model的问题，但实际做出来基本都是“彩虹”，
因为vbe的负温度系数会越来越大，而VT是线性正温，所以会曲线肯定会下降。

    然也。所以说之前说什么二阶效应，基本上是照猫画虎，脱离实际，不足为信。

大多数正常情况都是向上弯的。
有少数情况下会向下弯。比如：bandgap核心和输出部分的输出电阻随温度变化不同；电阻的温度系数比较奇特；运放的失调电压影响等。
你可以直接用，不细查原因。也可以找出来什么原因影响成向下凹的。
比较笨的方法是用理想元件代替电路中的运放，电流镜，电阻等。逐个替换，直到换了某个忽然向上凹了，就是那个影响的。

和bipolar的模型参数有关

高阶温度系数造成的！

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