请问有谁用纯CMOS工艺做过带隙吗？

回复 #1 xmysz 的帖子
可以做的，如果不做温度补偿，一般可以做到几十ppm，但chip to chip差异会比较大，几十毫伏属于正常。

纯mos工艺里面也有bipolar的啊，虽然效果不是很好。但也可以凑合着用，各种工艺角下的温度扫描结果还是可以的，十几个ppm还是可以做得到的。但片子出现之后一般会打个折扣。只不过电阻的选取很关键。有的nwell电阻温度系数比较小，但准确度比较低；有的是ploy的温度系数比较小，精确都也不错，就是面积太大

用过bicmos

我作过,0.18的
没有问题啊,就是作版图的人功力要深厚

我没有

我没有！

一般应用都可以接受了
放心采用CMOS吧

十几个ppm应该没问题

十几个ppm应该没问题?
能否交流交流下经验,最近一直在搞个ad,缺乏这方面的经验
上面的兄弟们,能够交个朋友
搞模拟ic的兄弟们不多啊

一致性，温漂不行吧

可以做的，如果不做温度补偿，一般可以做到几十ppm，但chip to chip差异会比较大，几十毫伏属于正常。

wo zuo guo ,没有测试

用寄生PNP可以的，也可以用subthreshold 的MOS管

我们这里有人做的，工艺库要代工厂给啊

没问题，，，
０.１８，，０.３５的做出来都不错
满足10bit,50MSps,pipeline之类是没问题的

能否交流交流下经验

感觉就是一直性不好 每个片子测出来的基准值都不同 相差有30mV左右~

回复 #10 cryinrain 的帖子
10 ppm 谁做的出来? 实际100ppm就很不错了！

顶一下，最近也在看这方面的资料，准备着手试试，不过只用MOS管做确实比较难，希望有经验的老兄给俺留言！

實測可以達到10幾個ppm嗎?懷疑?

标准cmos做是用寄生bjt吧

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