hspice problem

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我在提取mos 模型参数 Vth0时,遇到了一个问题,i=(1/2)un*Cox*(W/L)*(Vgs-Vt)^2*(1+lambda*Vds),我固定Vds为1.8V,对Vgs扫描,得出Vth0为负值,NMOS管,.options list node post .lib 'F:\hspice\ms018_v1p4.lib' tt.opvdd 1 0 1.8vvin 2 0 1.8vm1 1 2 0 0 n18 l=0.18u w=0.18u .dc vin 0v 1.8v 0.1v .plot dc i(m1) .end
i1/i2=(1+lambda*Vds1)/(1+lambda*Vds1)
这是为什么

只有但电路为饱和的时候,Vt的计算才是正确的,否则由于短沟道效应的存在,会有问题的!

不能吧,这个vt0是什么状态下的?

一般 Vtho extraction 是在 linear mode of operation,
small Vds 下操作的

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