功率管在片内的电源IC需要特别考虑些什么问题？

xiang zhi dao..

芯片发热问题?

串扰 闩锁 发热

我也被问到这个问题.

是不是诸如闩锁效应，驱动电路的死区时间限制等等啊?
期待高手给个详细解答！谢谢！

我顶！

我再顶！

Dead time control; current density（metal and via）; bondwire 寄生电阻大小； power MOS仿真设计与实际值的偏差；current sense结构选取以及仿真设计与实际偏差。

谢谢解答
还被问到这样的问题，如下：
LDO，输入是2.7V~10，输出为3.3V，最大输出电流为1A
当输入为10V，输出电流为1A的时候，有6.7W的功耗消耗在功率管，如何处理这6.7W的功耗?
望高手解答，谢谢

    非常精辟，这是从实际经验中获得的，谢谢。

    这个问题提得应该有背景的，单单你这个问题那是没有什么解决办法，LDO不是SMPS，这部分功耗无法解决，只能把散热做好一点

要考虑功率管发射极非均匀偏置，热失控和二次击穿

电路结构如果确定了的话，只能从layout上安排功率管均匀散热吧?

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。