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为什么说空穴比电子的lifetime长?

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如题,记得模电的老师说过,空穴的形成是因为电子的反向移动,那为什么又说空穴的lifetime比电子长呢?

如果说的是平均自由时间的话,没有空穴比电子大的说法,可以认为是平均自由时间相等,空穴比电子重,所以空穴的迁移率低。
如果指载流子的寿命,影响因素相当复杂,没有空穴比电子大的说法。

刚才看BJT, 说由于BJT是靠两种载流子(电子和空穴)传导,而DMOS只有一种(电子),由于空穴的lifetime比电子长,所以BJT的开关速度比dmos要慢。不太理解?

同学习。

坐等高人解答!

开关速度貌似bjt快吧

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