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请教一个版图走线中电流密度的问题？

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在版图中走线，如果走直流，允许的最大电流密度是1mA/um，那么经验上走交流对应的最大电流密度是多少?
PS:偶正在做的是一个PA，交流电流值很大，接近直流的电流！
谢谢！

10 ~ 20X of DC current.

据我了解所谓的最大电流密度规则是指在某个温度下（一般是110度）持续走这么多电流可以保证多少年金属线不断。并非指最大电流耐受能力

We are talking about "Electron Migration", and typically there are three design specs: DC, AC & RMS at different temperature.

Hi, ulsi123, how about transient current for huge fanout digital buffer?
It is another "Electron Migration" issue?
Thanks alot for your help.

对，我的表达有些问题；
一般的PDK中，也只提到一个推荐设计者用的电流密度（一般设计只要不超过这个值就ok了，所以就加了个最大……）。
我的问题也就是，怎么在这个推荐的直流电流密度基础上，折算出推荐的交流电流密度。
3# kimi_cxl

Yes,but now what puzzle me is that the GSMC only recommend DC current density. So how can I convert it to the AC current density?

4# ulsi123

3Q3Q！
2# ulsi123

显然，这个跟AC频率有关，也跟AC较大尖峰电流部分在一个周期内占的比重有关，AC频率越大，比重越大，
即动太电流的RMS较大，需要走更宽的线，一些工艺的PDK有相应推荐的公式。还有些经验系数。
没有的话，1mA AC 电流走 1/4 1mA DC 的线宽，差不多了。
个人浅见，，

诚然，许多工艺文件中并没有都给出AC、DC、RMS的设计规格，但最新的一些工艺，如90nm、65nm等等，好的FAB都会提供所有条件下的electron migration的设计参考规格。早先的一些paper，如 http://www.eecs.berkeley.edu/~hu ... CNF/HuC_CNF_202.pdf 就已对这些方面做了不少的研究。从中可以看出，AC要比DC承受的电流密度大很多倍，有人甚至说AC情况下不存在electron migration的问题，当然，还是保守起见为好。另外，其实electron migration跟走线的长度有关，有的FAB甚至会给出不同线长下的AC、DC、RMC的规格。

恩，对，这些paper认为在交流下，电迁移有一个相向的补偿，最后将电迁移给抵消了，当然这些只是在理论上和某些特定频率和幅度的AC信号，不具备普适性……

nu zan ulsi123

可以换算为直流电流，芯片可以支持的峰值电流密度很高的，由于电流集边效应，只要加了足够的slot就可以了。

个人愚见，现在都是铜工艺，基本不存在电迁移的问题了，你只要考虑最大电流的承受能力就行了，望大虾指教，不知道本人理解对不对?

电迁移的问题广泛存在于铝和铜的工艺中（http://en.wikipedia.org/wiki/Electromigration ），其实，像45nm、65nm等的铜工艺中，也只有最上面的少数几层金属层为铜合金，其他的均为铝合金。

最大的电流承受能力不就是对应于电迁移么?
如果没有电迁移，应该就不存在考虑电流的承受能力了吧！
个人理解……
14# ccp106

可以用工具计算.

我看有的是按交流的RMS给的线宽的，我也被这个问题困扰

同学习！

那我如果要过1A的直流电流怎么办呢?按照1mA/um的话，我要画1000um ，不大现实吧?

AC 10~20X

个人愚见
首先有效值只是针对电阻的热效应等效出来的虚拟概念，这里用交流的RMS来估算应该不合适；
其次，一般的瞬态交流信号可分解出直流和叠加在该直流值上的交流值，那对金属而言，其电迁徙的能力
对应的是直流电流，我们只需再在该直流电流值的基础上留余量。比如对于纯正弦波这类正负幅值对称的波形其直流是其绝对平均值 ~

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