为什么一般用pmos input pair，因 为它比nmos input　SR更快吗？

为什么一般使用p mos input pair做第一级的输入?
我之前一直以为是p mos的低噪声
今天读 Martin的书才发现低噪声只是一方面，
更重要的是p mos input pair的slew rate更好，　书上说这是因为p mos input pair 有更大的Veb,
可这是为什么呢?
牛牛们跟讲讲吧，我实在是没看懂。
Ken Martin的书5.1.5节，
谢谢

5.1.3上面讲的很清楚啊
在带宽和功耗一定的情况下，SR=VSAT*GBW   UP<UN 所以 VSATP>VSATN 在电流一定情况下
PMOS的SR比NMOS大点
我照本宣书了

我觉得应该是根据输入共模范围决定的吧

谢谢楼上两位的讨论，
仔细考虑了一下，我认为David Johns 和　Ken Martin的说法是错的。
GB = g_m/C_L; g_m = \mu C_ox W/L V_(EB)
所以　GB 可以化成 \mu C_ox W/L V_(EB) / C_L
如果使用pmos 而不是n mos,　由于pmos的\mu C_ox 是nmos的1/3,　为了match GB, V_EB  必须要提高到3倍。
当然前提是W/L比是一定的，这也是Ken Martin书上做的假定。
但这个时候再来看一下电流，电流和\mu C_ox成正比，和V_EB　的平方成正比，所以电流提高到1/3 * (3)^2 =3倍，所以power也提高了三倍。
再回头看SR,Ken Martin最后算出来SR=V_eb *GB; 的确SR提高了三倍，但power也提高了三倍。
所以这是没有任何用处的。
有另一个公式， SR=P/(2V_DD * C_L),　我们可以看到SR只和第一级的power有关。
至于为什么用pmos input pair, 第一是噪声，第二是如果你第一级用pmos,第二级一般不得不用nmos，　nmos有更高的\mu C_ox, 较快，所以可以更快的驱动电容负载

我觉得他指的功耗和带宽一定的前提下
是这个意思
SR/GBW=4PI*IDS/gm
我觉得 GBW=gm/Cc
要保证GBW一样 我们可以改变 Cc在不同的输入对下补偿电容值也不一样，所以我们可以改变CC保证GBW一样
而且电流一定 GMP<GMN 所以 SRP>SPN
个人意见

如果仅考虑SR可以有多种电路电路结构做大SR，并非一定要用PMOS输入，好像PMOS的噪声特性比NMOS要小些吧，加上在P-SUB中PMOS没有衬偏效应，最大的可能是输入共模电压范围的要求选PMOS，在折叠结构中，PMOS输入的CMRR好像要好一些。

谢谢大侠们

又学到东西了 谢谢

ddddddddddddddddd

Sansen的Analog Design Essential里面提到PMOS可以做在通一个阱里，匹配更好,因此一般用PMOS作输入对管（chapter15）

真不错

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