求教一个LDO测试的问题
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各位大虾好,小弟做了一个LDO。但是LIR性能非常差,大于60mV/V.
我的工艺是chart035um,3.3v
LDO的输出是3v,Vdropout=200mV(设计)。
我测试了3.2v~4v之间LDO的输出,结果显示有50mV的变化。
后仿真都没有问题,不知道为什么,照理来说静态性能不应该有这么大的变化!
请大家多多指点,各抒己见!
我的工艺是chart035um,3.3v
LDO的输出是3v,Vdropout=200mV(设计)。
我测试了3.2v~4v之间LDO的输出,结果显示有50mV的变化。
后仿真都没有问题,不知道为什么,照理来说静态性能不应该有这么大的变化!
请大家多多指点,各抒己见!
可能是工艺失调
运放增益下降
你设计的值是多少?
LINE REGULATOR的话,一般只有1mv左右,
如果你是带满载测试的也有可能是你在低压的时候,输出电流能力不够.
只要改成轻载测试就可以了
否则的话应该是运放增益变低了.
同意楼上的。
我设计的值是1.1mv/v
比较郁闷的是,片内带了一个环振,没有办法测试空载的情况?
有可能是电流过载的原因。我设计的电流是15mA,但是在测试的时候看到VDD端有20mA左右的电流,只是不能确定这个电流有么有流过我的LDO。
这个工艺失调对增益会有这么大的影响吗?前仿真和后仿真对5各工艺角都做过了,环路增益在60dB以上吧!
3.3v工艺的电路,在输入大于3.3v时,电路特性应该不会有太大的变化吧!况且也高的不多,呵呵!
good topic!
学习中。
reference在3.2v~4v之间变化吗?
过载了?
申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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