请教 这个电路图中的 vout1 vout2的变化趋势

对如下这个电路图1，当Vb高于所希望的值时，M1和M2的尾电流将增加，
那么共源共栅支路的电路将降低啊，那么vout1和vout2将提高，那么共模电平将增加啊。

                图1
但是书上怎么说是：当Vb高于所希望的值时，M1和M2的尾电流将增加，输出共模电平将下降呢?

对于如下图2，所说的恢复共模电平又该怎么理解呢?

          图2

大哥，图呢?怎么看不见

    啊 不好意思 我重新发一张

        图1

         图2

我感觉这两个电路说的都是同一个原理吧。
第一个图，VB上升，M1和M2的尾电流将增加，和VDD较近电流源的电流更地分到了M1,M2支路，输出共源共栅支路电流减小，所以共模电压减小，使得M7,M8电流减小，VB控制的管子电流减小，可能会进入线性区，再反馈到输出支路这边，使输出共模电压上升。
第二个图，若Vout共模电压上升过高，使输入对管尾电流上升，从而输出支路电流减小，使得输出共模电压Vout有所下降。
这两个变化都是在一个动态过程。

折叠点处，根据基尔霍夫定律，当M1,M2电流增大时，另外两路总电流肯定是减少的。当所有管正常工作时，折叠点处上面的两管的电流本身因为其他两路电流之和（甚至大于这个值，一般为尾流的1.2~1.5倍）
所以，减小的应该是折叠点向下的电流。我是这么理解的。

   我发现一个很有意思的推论，
  1。针对上面的PMOS而言： M5 和 M6的漏电流减小，那么M5 M6管的Vsd将减小，那么Vout1 Vout2将增大；
  2。 针对下面的NMOS而言：M5 和 M6的漏电流减小，那么NMOS两端的Vds减小，最总Vout1 Vout2将减小；
这两者怎么是矛盾的啊

   照你这么一说，我仔细算了下，感觉确实存在你所指出的矛盾：共源共栅支路电流减小时，PMOS会将VOUT上拉，NMOS会把VOUT下拉。我感觉有没有可能是因为下面两个NMOS的下拉能力明显强于上面一个PMOS的上拉能力（通过计算是这样），而导致VOUT最终体现出下降的现象呢?

下面的NMOS是电流源，而M5 , M6的源端电压不是固定的，M5 M6的电流减少，M5的源极电压下降，漏极电压也同时下降

    如果Vout1和Vout2都上升，那么NMOS输入对的尾电流增加，那么单个NMOS对的漏电流也增加，再进一步NMOS对的漏电压即M5 M6的源电压上升啊。

    不明白到底该怎么解释?你要是继续往深的推，会发现更多的问题。因为NMOS对的尾电流增加，那么单个NMOS的漏电流增加，那么NMOS对的源端（假设为P点）Vp就会下降（根据Id=1/2*Un*Cox*（W/L）（Vin-VP-Vthn)2)

n管有自己的偏置电路吧 根据偏置电路形式不同 对电流有不同的依赖性 还有之路电流小，导致的输出电压应该低

    下面那个共源共栅是一个定值,也就是输出电阻是恒定的.故V=IRoutnmos由于电流减小,故Vout1,Vout2减小
    上面那个共源共栅是存在多个变量(>=2个)输出电阻是一个变量,做V=IRoutpmos不能确定.

note：这两个电路中，直流工作点不是固定的哦，这个是前提哦！

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。