求助ee工艺中pip电容
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最近在做SMIC ee工艺的设计，看到他的pip电容的构成挺复杂的，有SN，CG，GT，ONO，CAPBP，SN是有源区，GT应该是栅，感觉CG也是栅，毕竟是pip嘛，因为没有design rule，所与苦于不知道他的构成，希望知道的兄弟指点一下
Thank you very much！
CG，GT都是栅
ONO好像是跟着GT走的，也就是说为了区分高压MOS与低压MOS栅氧化层的厚度而存在的一个层次，具体的我忘了
CAPBP是电容的标识层
SN，我就不知道在这是干什么的了！
应该和poly电阻两端加SN的作用相同吧，是。忘了
ls正解。
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