关于mos管体效应的问题请教
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比如nmos管，体效应产生的原因是衬底电压低于源极电压，那么在实际电路中是否可以把mos管衬底和源极连以来，消除体效应?谢谢
这样许多管子需要单独做井，面积会比较大
衬底和源极连接可以很大程度上消除体效应，但寄生电容会变大，而且体效应也不仅仅跟这有关，还跟一些其它的高阶效应有关，你看看BSIM的说明书里关于阈值电压的公式就知道了。Allen的教材CMOS模拟集成电路设计中文版第二版的149~150页有关于衬底接法不同的说明！
工艺上不可实现
nmos衬底是P井 只有接相同的地电位
除非在P WELL 工艺
为什么源与衬底相连的管子要单独做井?
那如果是像tsmc.18 rf工艺，对于deep n－well nmos管，可以把源衬底短接减小体效应吧?
it depends on technology and layout style you use. If you use guard rings and dual-well technology, most likely the backgate and the power rail are not connected directly.
多阱工艺就可以实现了
对的，
现在有很多bulk driven 设计的研究，有兴趣的可以在网上search一下
双井就可以啦
可以相连但是会产生寄生电阻
学习一下
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