求租LDO稳定性问题。

请问LDO采用NMOS作为功率管之后，稳定性如何考虑和设计呢。设计时，发现比采用PMOS管，似乎更难以稳定。尤其是在空载，或者负载只有几微安时。负载能力可能要求达到几A。这么大的负载范围，要稳定，考虑了好久，还没有良策呢。

对LDO来说，主要是考虑两个极点，EA输出极点Pea和Vout极点Pout。采用Nmos管，想必Pmos管，输出电阻要低得多，近似为1/gm，而pmos为Rds。输出极点Pout随负载变化，EA输出极点Pea相对变化小一些（miller电容相受影响）。重载时，输出极点高，可以稳定。轻载时，1/gm变大，Pout处于低频，两个极点靠的很近，需要补偿。
至于补偿方法应该要看运用场合吧。ESR补偿应该可以的。VCCS。其他的补偿方法应该也可以解决。至于极点随负载变化，这是LDO的特性。需要保证所有负载情况下均满足稳定性要求。我的思路是补偿相对稳定的Pea，这样就算Pout随Iout变化，也是单极点，稳定性可以满足。
不知道大家有没有什么好的思路，还请指正。
对于LZ提到的Iout达到几个A，我觉得选用Nmos不是很合适吧。不知道LZ什么考虑。输出电流能力最好的应该是N-type BJT.而且Nmos dropout voltage 很大.Pmos的还要好些.大家讨论一下.

选择NMOS的话，可以用charge pump把电压升上去作为EA的电源，gate控制电压升高之后，这样可以减小导通电阻，减小功率管的面积。

有人尝试过，这种做法吗?

大功率输输出电流还是采用NMOS比较省面积，比如大功率dc-dc在降压时候都采用NMOS为功率管，并且采用charge pump把电压升上去，这样还是有优势的啊。

学习了！

学习，学习；；；

charge pump引入开关噪声，就不叫LDO了，干脆用开关电源好了。

还是用PMOS吧
电流如果那么大的话，用NMOS的dropout导致的功耗增加绝对得不偿失的

的确许多LDO这么做！

太牛了，长见识了

  功率管上面借个nmos类似于cascode psr是肯定增大的

我刚做完。

牛hahhhhhhh

新手学习中

学习了。

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