nmos ldo的load transient reponse

pmos ldo的load在从0跳到Imax时输出端的电压下降的幅度delta(Vout)=(1/BW+TSLG)*Imax, 如果是nmos做功率管，这个时间常数怎么计算?
做过一个仿真，似乎性能更好..., 期待高手解答

公式我不会
结果会比pmos的好很多很多

我觉得load response这种，负载变化前后的输出极工作状态变化很大，尤其gm变化很大。
这个已经不太适用小信号交流分析了。
猜一个公式：gm2*CL。 gm2=（gm2(小电流）+gm2(大电流））/2

谢谢回复
直观上挺容易理解的，负载电流突然变大，输出端电压下降。由于环路来不及反馈，功率mos的gate端电压保持不变，Vgs增大，就会有大量电流流入负载，而pmos就没有这样的反应

大侠们现身啊

自己顶，寻求探讨

NMOS 做驱动， 负载看到的阻抗会很小，所以速度快

路过学习学习

是不是可以这么理解，P管负载是瞬态电流变化是其Vds引起；而N管是Vgs引起，所以N管性能好?

我同意4楼和9楼的,负载电流变化指的是绝对电流的变化,假设功率管一直是饱和区的话Id=kw/l(Vgs-Vth)^2(1+lambdaVds);NMOS负载电压降低改变的是平方项,PMOS是带一次项,还带个lambda系数,影响相差很大

谢谢大家的回复，以上都是直观上的理解。LDO的Load transient response主要考虑带宽和功率管gate端的Slew rate, nmos由于是source follower的少了个high impedance节点带宽较pmos的可能大些，而gate端的Slew rate没什么差异。但在capless的应用中，环路负反馈往往来不及起作用，这时怎么看nmos的快速反应?

GFDGHFH

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