请问NMOS的Gate Oxide击穿和Vgs耐压有什么区别？
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请赐教。
这个倒没有深入研究过。Vgs不一定是栅氧发生击穿的。
Gate Oxide 击穿一般是指gate和Bulk之间的吧。
如果bulk和source不是同一电位，就有了区别
我是初學者,沒有經驗,謝謝大大提供資訊,網路分享,迅速吸收,受用無窮
击穿分 软 硬击穿！
耐压也分时间的，一般安全系数是 10年以上的
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