紧急求助：工艺角分析：不同工艺角下面，仿真结果有较大差距，这是怎么回事啊
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不同工艺角下面，仿真结果有较大差距，这是怎么回事啊
顶！
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这是当然，对应不同的器件参数，见razavi吧
求高人解答
书我也看了，可是内容很少啊，讲解不详细的啊
也想知道
因为电容电阻和mos器件由于制造工艺的偏差器件参数会有变化，一般是+-20%，在不同的温度下电子迁移率也不一样，电容电阻也与温度有关，所以不同工艺和温度仿真出来的结果会有偏移。具体的各种参数变化可以看所采用的工艺库。
谢谢哈 谢谢
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