问一个弱弱的问题，关于工艺
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对于同一个工艺fab，人们常说5V CMOS工艺，3.3V CMOS工艺，请问这两个主要的差别是在哪儿?
即：工艺上什么差别造成耐压的不同?这两个工艺的栅电压耐压是一样的吗?
即：工艺上什么差别造成耐压的不同?这两个工艺的栅电压耐压是一样的吗?
gate oxide 厚度不一样
这个5V，3.3V是指栅源电压Vgs的耐压吗?还是指Vds?如果是指Vgs，那么Vds在哪儿体现?
upupupup
对于数字电路来说，vdd 直接给到vgs上
vds 本来就相对难breakdown.
不一定啊。比如很多说20V工艺，是指Vds的耐压，但Vgs耐压只有5V
高压工艺不同，那是用了LDMOS 之类的
不是标准cmos 元件
氧化层厚度不同
除去高压电路后的一般电路来说，就是指电路工作的栅极电压。
糊涂了哈 Vds应该不是那个3.3V吧
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