问一个关于工艺的问题
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双阱工艺中，NMOS做在PWELL中，PWELL和P-sub之间做一个BN，有什么用处呢?
隔离，隔离p-sub和pwell之间的电位，代表着pwell电位可以任意
BN是什么东东呢?类似nbl?
是埋层
有道理，谢谢。
受教了 这样一来NWELL电位就可以是随意的，方便NMOS，S、B相连的情况哈，
恩 受教。
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