tsmc工艺中硅化（silicide）和非硅化（unsilicide）多晶硅电阻，那种工艺偏差更小呢
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没用过tsmc工艺，求帮助
非硅化电阻应该精度会高些
《模拟集成电路与系统》，58页，
硅化多晶电阻，电阻精度 35%
非硅化多晶电阻，电阻精度 50%
阱电阻，电阻精度 50%~80%
搞不清楚这里的百分比是大些好还是小些好。
楼上的百分比可能指误差
求答案
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