请问一下layout中poly resisitor的guard ring的画法
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大家好。有个问题请教，还望大虾解惑。
在layou中，现在用到poly电阻。关于如何在poly 电阻外加gurad ring，有些困惑。
现在我自己用的是pdiff接地，包围一圈。不知道这样行不行?两边各有dummy。如果不行，为什么?
另外看到别人的芯片是用一圈poly，悬空做为保护环。这种有什么好处吗?悬空的poly会不会积累很多电荷。而对电阻有影响呢?
baidu了网上的，有人的说法是：
在poly/diff 电阻下面增加nwell 减轻noise 对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont 连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin 通常nwell宽度5-6um。
现在不知道上面的那种比较实用?处于什么考虑。如果考虑电阻的噪声，又有什么不同的考虑?
望大虾指点一二。谢谢。
在layou中，现在用到poly电阻。关于如何在poly 电阻外加gurad ring，有些困惑。
现在我自己用的是pdiff接地，包围一圈。不知道这样行不行?两边各有dummy。如果不行，为什么?
另外看到别人的芯片是用一圈poly，悬空做为保护环。这种有什么好处吗?悬空的poly会不会积累很多电荷。而对电阻有影响呢?
baidu了网上的，有人的说法是：
在poly/diff 电阻下面增加nwell 减轻noise 对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont 连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin 通常nwell宽度5-6um。
现在不知道上面的那种比较实用?处于什么考虑。如果考虑电阻的噪声，又有什么不同的考虑?
望大虾指点一二。谢谢。
怎么没有人回答啊。自己顶起。
在poly/diff 电阻下面增加nwell 减轻noise 对电阻的影响，nwell连接高电位与sub反偏。Nwell电阻四周加sub cont 连接VSS。Nwell电阻为了降低光照使电阻阻值下降的影响，在上面覆盖metal并连接高电位。其次为给nwell电阻足够的margin 通常nwell宽度5-6um。
这个靠谱。
谢谢楼上的提示，不过能不能说说业界的通用做法呢?
1# soulhenry
Substrate Noise很大么?如果加NWELL，还要TUB，这样面积比较大！
一般是Poly两侧加dummy或者用Poly围一圈；最好不要float，连Poly电阻的一侧就好！如果真担心Noise，在下面画Pgate然后连到无noise的电压。
5#
现在采用的是用poly围一圈。我的poly采用ploy_M1 contact，用M1连接到VSS，这样的话应该可以吧。
6# soulhenry
可以！
guard ring
1# soulhenry
你说的第二点那一圈 poly 是 dummy，不是 guardring.
有dummy有guard ring一般就够了吧，太复杂了
O(∩_∩)O谢谢
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