current-mode circuit设计问题
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需要大家的帮助，我最近想要做这个电路的访真，可是不知道怎麽计算每个电晶体的(W/L)及决定偏压电流大小，以及每个电晶体gate的电压，还有该怎麽计算grounded-gate amplifier (Ma)的gain，拜托大家的帮忙，我真的很急，谢谢各位。电路图在附件中
电路图
帮你顶起来,看有谁能帮忙
好奇怪的电路啊
用hspice嘛！
看不懂啊！电路什么意思?
这个电路是memory cell 目的是要储存电流
谢谢，看看。
MA 只要gm夠大 1/gm 輸入阻抗夠小 目的讓所要的電流能精準的送入即可
phase 1 建立 bias
所以設計的重點 建立的bias voltage node(gate of MTP and MTN)要有足夠
margin 抗noise, leakage
又要在0/1 兩個state 都維持MN1, MP2在saturation region
期待着解决，帮你顶上去！
Hope to have better answer
都不知道你则电路要什么样的效果，怎么给你算啊！
good good
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