LNA用大信号模型还是小信号模型？
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我在用GaAs pHEMT库的时候，有三种模型：大信号模型，小信号模型，噪声模型。
现在我就是用大信号模型先定结构参数，再用小信号模型与噪声模型仿真噪声系数。不知道对不对。
有没有朋友有过经验的，能一起讨论一下
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没用过砷化镓，只用过RF CMOS。
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