LDO瞬时响应差

補充，附图中，
上图是电压，下图是负载电流，输出电压3.3V，最大输出电流10mA

例如上尖峰正比于Iload-max以及Vesr,反比于Co,Cb,带宽,
宽度正比于Co,Cb,R1,尖峰电压,反比于Vref
可以考虑从这些方面入手

可以请问大家，有些论文宣称无外挂电容free-capacitor，但瞬时响应却可以很好，他是怎么做到的?

好像瞬态响应比较难做。不知道有没有好的方法。

buffer对power mos gate 充电能力较弱

环路带宽不够，建议仿真一下带宽

都不是，这个问题，只能外接电容来解决所谓的free-capacitor只是PM做到，仔细看下它们trans response的仿真条件，都是挂电容的

give me some hint but still no solution ！

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。