corner仿真通过标准是什么？
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corner仿真通过 是指所有晶体管在不同的corner和在tt下仿真一样，处于饱和区?
还是gain/PM/UGB没有明显变化（这种情况下MOS有可能处于weak inversion吧）?
corner仿真通过 是指所有晶体管在不同的corner和在tt下仿真一样，处于饱和区?
还是gain/PM/UGB没有明显变化（这种情况下MOS有可能处于weak inversion吧）?
设计电路之前没有定义spec或者datasheet么?
corner仿真结果在spec或者datasheet要求的范围内即可。
至于内部怎么工作不是特别限制严格，只要功能性能满足要求，截止区也可以呵呵。
一直和tt仿真处在一样的状态更好。
这个主要是给客户评估性能差异吧,说不上过与不过
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