Cass AB坏掉问题
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有两颗Class AB芯片，测试中发现会坏掉，请大家给点意见。
2W单通道芯片： 8欧姆负载正常；4欧姆负载，DIP封装正常，SOP封装较短时间内会冒烟烧掉，解剖后发现，都是在vdd gnd PAD处烧掉。
2W双通道芯片： esd测试过4KV，latch－up测试也通过。在实际测试中发现，带载4欧姆电阻负载，可以工作在5V电压下，但反复测试会坏掉（功能异常）；带4欧姆扬声器，只要电源电压超过3.3V很快就坏掉（功能异常）。 照EMMI发现，坏点出现在OP的cascode bias的nmos，问题在哪里?
2W单通道芯片： 8欧姆负载正常；4欧姆负载，DIP封装正常，SOP封装较短时间内会冒烟烧掉，解剖后发现，都是在vdd gnd PAD处烧掉。
2W双通道芯片： esd测试过4KV，latch－up测试也通过。在实际测试中发现，带载4欧姆电阻负载，可以工作在5V电压下，但反复测试会坏掉（功能异常）；带4欧姆扬声器，只要电源电压超过3.3V很快就坏掉（功能异常）。 照EMMI发现，坏点出现在OP的cascode bias的nmos，问题在哪里?
信息不足啊，兄弟。
第二个是不是nmos直接接到vcc去了
作bias的nmos不会接到vcc的
没有人做功率较大的class ab 吗?
layout 时 检查电流密度了吗?
bondwire fusing current 检查过没有?
Possibly transistor is not protected well.
是不是功耗太大，看电流吧
有意思。
器件直接击穿了
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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