请教一个关于天线效应的问题
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如果poly gate是连到I/O上的(有esd protection device),metal/poly面积比如果很大,会有天线效应吗?
要考虑工艺顺序问题的。
假如你metal1做完就连接上了,那没有问题。
如果top metal才连上,而且top metal下某层metal/poly很大,那就有天线效应了,需要加diode保护了。
esd protection device不算是保护吗?
问题是在彼时 pad的二极管有可能还没连上,如前文兄弟所示。
That means if the esd protection device connected with internal circuit by bottom metal, the device will not be destroyed by antenna effect, and the esd protection device act as a NAC diode?
Thanks a lot,
Bandgap
在刻蚀大片metal的时侯,连上了diode就可以了。
比如M2的面积很大,你用m2连通到diode就可以了,用m1直接连通了也行。
Thanks a lot.
agree upstair
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