求教一个功率放大器的问题
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电路是自电源到地之间依次是电源，PMOS管，阻值为R的电阻，输出节点，阻值为R的电阻，NMOS管，地。其中PMOS管和NMOS管的栅极分别由IN_1和IN_2控制。输出节点连到匹配网络。（好像不能添加图片，汗...）
IN_1和IN_2是两相非交叠时钟信号。即：为了减少功率损耗，防止在电平转换时PMOS管和NMOS管同时导通，IN_1比IN_2要早一点到达高电平，IN_1比IN_2迟一点到达低电平。
根据个人理解，该电路像是一个D类功率放大器。但是电路仿真结果又像一个E类功率放大器。而且该电路没有高频扼流圈（电感），不知道是怎样在输出端产生约为0~2VDD的电压的。刚开始学习，求达人指点！
IN_1和IN_2是两相非交叠时钟信号。即：为了减少功率损耗，防止在电平转换时PMOS管和NMOS管同时导通，IN_1比IN_2要早一点到达高电平，IN_1比IN_2迟一点到达低电平。
根据个人理解，该电路像是一个D类功率放大器。但是电路仿真结果又像一个E类功率放大器。而且该电路没有高频扼流圈（电感），不知道是怎样在输出端产生约为0~2VDD的电压的。刚开始学习，求达人指点！
是高频本振还是直流?
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
