ESD 版图设计请教。
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我想在PAD下放置GGNMOS做ESD保护器件,用的3M的2M工艺,大家觉得可行不?
不怕别的,就怕bonding的时候把器件压坏. 问问foundry和封装厂,确认下可以做不, 好像在有些foundry流片如果要做DUP(device under pad),就需要加一个标记层.
条件允许的话, 你也可以不问,自己先做做试验.
已经做过 没什么问题 但是PAD 有可能会穿 对于封装有一定的要求
学习了 1# ant_analog
跟制程和封装有关,不可一概而论。
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