LDO测试

顶起来，学习下

确认 Vref随温度不变?
上面的PMOS为什么用Diode接法，防范ESD完全可以把栅接地啊，上面的PMOS电压随温度变化如何，有没有可能让下面的NMOS进入线性区?

ref是恒定的，电阻上的电压就是ref电压，那电流怎么会变化的?

PMOS接法是为了给其他电路提供镜像电流，基准电压我没有测到。

但是根据测试当电阻较大时，Vtest的电压随温度变化不大，但是当电阻较小时时，Vtest随温度下降了100mV左右，

如果确定基准没有问题，则两者的区别就是电流的大小不同，怀疑是电压裕度不够，建议察看或仿真在高温大电流下不同corner需要的最低电源电压

个人觉得那个应该是两个电阻接成负反馈的的，比值就可以了。

精彩！加油的！加油！
学习楼住的这的种精神TMD~太牛

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个人觉得是N管驱动能力有限，这个电路实际上就是一个带缓冲的运算放大器（驱动小电阻负载）用作跟随，当电流达到一定程度后，图中负载大到一定程度（电阻很小）时，就可能跟随不上，一方面选择高增益的运放，另一方面增大N管和P管的宽长比应该就可以了

支持楼上的观点！

可以先做个直流扫描，把电阻换成电流源，扫描输出电流，测量输出电压，看看驱动能力

是仿真呢还是测试，小编设计LDO的经验可不可以分享一下

测量LDO的vbg从某种程度是要考虑测量短对整个电路可能会造成的影响，如果测量表的输入内阻不够高，可能会增加vbg的驱动负载，引起vbg电路特性的变化，另一方面，测量表存在容性，可能会引起vbg输出端极点的偏移，从而可能会发生震荡，因此添加一个buffer一方面是为了增加驱动能力，另一方面是提供较高的输入阻抗。尽管如此，如果buffer的驱动能力设计有问题或者op的输入阻抗不够高，依然会引起问题，因此在这里建议选择更高的输入阻抗的buffer和增大后面驱动管的W/L，此外在后面的驱动管那里存在一个极点，原则来讲这样的电路如果稳定工作需要一定的补偿，在你的表笔那里并上一个电容，或者做米勒补偿比较好，你最好用示波器实时的检测电路是否已经发生了震荡。

可能是6mA时运放进入线型工作区了

有道理

re
First, u should make sure system is stable.
Second, u can caculate the max current Imax which it could drive:
Vmax: the max op output
Imax = 1/2 * K * W/L ( Vmax - Vref - Vth ) ( Vmax - Vref - Vth )
Or u can scan and get  Imax

同问,,希望是芯片测试,,,,

你LDO的反馈网络接的不对吧  没有电阻分压?

这个LDO电阻反馈接法有问题吧

ref是恒定的，电阻上的电压就是ref电压，那电流怎么会变化的?
改變電阻~

NMOS的驱动能力不够！

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。