首页 > 微波/射频 > RFIC设计学习交流 > 偏置电压的设置于工艺角仿真的关系

偏置电压的设置于工艺角仿真的关系

录入:edatop.com    阅读:

小弟在设计时电路图中的vxb1和vxb4只要变化几mv管子就进入线性区,在做工艺角仿真时一直过不了
偏置电压及尺寸要怎么设置才会使管子对偏置电压的变化不敏感,
p.s.在设计时都有使vds>vdsat+0.1v

电源电压是多少? Vxop,Vxon的摆幅限制在vss+2vdssat到vdd-2vdssat之间
先定Vxb1, Vxb4, 再定Vxb2,Vxb3

电源电压是1.8v,vth约为0.47v,Vxb2和Vxb3要怎样才能使管子的工作区域不随Vxb2和Vxb3的微小变化而进入线性区

cascode管MX2a/b, MX3a/b的l 可设为最小长度0.18,也就是说这些管子的vdssat可以设计得小点,以保证饱和,而不会影响模块的性能

你是不是没有加common-mode feed-back?

恩 初仿是没接cmfb
但ss,ff都过不了,接上会有有明显的改善吗

顺便问下sc—cmfb要怎么仿真,我看了几个帖子,有的帖子说用pss和stb分析,但这两个怎么设置

现在vxb2和vxb3的设置已经没问题了,可允许的变化范围约为-15~15mv
但我的vxb1,vxb4只要稍微改变,整个电路就都不工作了
ss,ff都过不了

vxb1,vxb4只要稍微改变,整个电路就都不工作

trimming

trimming

trimming

我也正在做gain-boost运放,里面的辅助运放和你的一样,我的那个M3C管子在SS的时候也容易不饱和,不知道会不会有什么影响

corner

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

上一篇:hspice中如何仿真两级运放的差模增益和共模增益?
下一篇:关于mos管电容

射频和天线工程师培训课程详情>>

  网站地图