请教大侠，有没有用亚阈值区的MOS管做bandgap的经验

在bandgap电路中，用亚阈值区MOS管来代替PNP管。有没有什么相关的文献可以推荐啊，主要是不清楚亚阈值区MOS管Vgs的温度系数，不知道是不是跟PNP的Vbe一样，在一定Vbe一定温度下，有固定值。请教各位大侠，谢谢先！

翻翻ieee的论文实在

就算找到了，还是下不到啊： （

找到了，上水木微电子板块，“小妹妹跪求,...”，半个小时内，保准拿到文章

好东西，学习一下

这个有啊

这个有啊

这个有啊

这个有啊

虽然在文献中亚阈区内的温度系数呈现近似指数关系，但实际中不同代工厂的近似程度还是存在很大差异

总感觉亚阈值的管子很不保险

看来是熟手啊

there many paper on ieee.
you can find it.
but bjt still the best chose in my design.

kankan

一个很好的方向～～

理论是美好的。实际上亚阈值的在工艺上要求比较高。

是不是可以参考一下gray的书，current peaking，P304

不明白为什么要用用亚阈值区MOS管来代替PNP管

可考虑使用耗尽管来实现。

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