一个有关45nm工艺中金属线方块电阻变化的问题
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有个问题想请教各位大虾。
TSMC45nm工艺中同样金属线的方块电阻会因为线宽和线间距的不同而不同。
比如下表所示：
线宽 线间距 方块电阻
0.07um 0.07um 0.278ohm
0.07um 0.21um 0.139ohm
0.21um 0.07um 0.188ohm
这是什么原因呢?百思不得其解啊！
TSMC45nm工艺中同样金属线的方块电阻会因为线宽和线间距的不同而不同。
比如下表所示：
线宽 线间距 方块电阻
0.07um 0.07um 0.278ohm
0.07um 0.21um 0.139ohm
0.21um 0.07um 0.188ohm
这是什么原因呢?百思不得其解啊！
不同width/space实际刻蚀出来的图形效果不一样呀
wasoga
learning
能有翻倍的差距么?
还有没有其他解释啊?
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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