降低處理器耗電　英特爾研發「彈性記憶體」

在近日於美國夏威夷州舉行的2010年超大積體電路研討會(Symposium on VLSI Circuits)上，英特爾(Intel)將介紹一種所謂的「低電壓彈性記憶體(low-voltage resilient memories)」。據了解，這種新技術將有助於在處理器設計中實現超低電壓電路；在這個領域有一個問題是與性能不彰的暫存器(register)有關。「在 CPU 中負責運作記憶體的暫存器很難以低電壓執行，這是一個微處理器核心運作電壓最小化的限制因素。」英特爾的簡報指出。
為此英特爾提出了低電壓彈性記憶體的概念，該公司表示，那是一種能耐受各種變異以及洩漏雜訊的電路。英特爾指出，該種技術的電壓閾值能依需求不同，設定為1V至340mV的範圍；此外其能源效益據說可達到每瓦5,500億次運作(operations per Watt)。
英特爾技術長、資深院士暨英特爾實驗室總監Justin Rattner在一場電話會議中表示，低電壓彈性記憶體將會是：「新一代低電壓處理器內含的功能區塊。」
在該研討會上，英特爾還將發表另一篇論文，涉及設計校正中「複本位元(replica bits)」與錯誤標示的問題。其簡介指出：「我們提議在晶片上記憶體內加入複製位元，在讀寫運作期間用以偵測並標示錯誤，如此就能移除電壓保護頻寬(voltage guard bands)。」
上述技術據說可為45奈米CMOS製程的16KB陣列降低7.5%的電壓。此外英特爾其他與降低耗電技術相關的論文，還包括介紹一種針對整合式數位無線電應用的數位合成器技術(digital synthesizer)，適合WPAN、WiDi、Wi-Fi與WiMax等領域。
(參考原文： Intel tips 'resilient memories' for MPUs，by Mark LaPedus)

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