baker书和gray书的小问题求解
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baker的CMOS电路设计.布局与仿真(第二版第1卷)
第134页关于沟道长度效应的方程为
Id=(1/2)K(W/L)(Vgs-Vth)2[1+λ(Vds-Vdssat)]
是怎么回事.
还有gray的书上讲完全匹配的差分对
共模增益为
Acm=-gmR/[1+(gm+gmb)2Rss]
完全匹配的共模增益是∞（sedra书上看到的）
第134页关于沟道长度效应的方程为
Id=(1/2)K(W/L)(Vgs-Vth)2[1+λ(Vds-Vdssat)]
是怎么回事.
还有gray的书上讲完全匹配的差分对
共模增益为
Acm=-gmR/[1+(gm+gmb)2Rss]
完全匹配的共模增益是∞（sedra书上看到的）
第一个主要是对K的定义不一样，
第二个，如果RSS非常大，那么共模增益相对对于差分增益就是非常小， 而不是无穷大
通常RSS是MOS管的小信号输出阻抗，至少上兆
baker书上K的定义UnCox ，跟别的书一样的 。
完全匹配的共模增益是0（我打错了 ）
但是gray书上时GmR/（1+（gm+gmb）2Rss）
可不能完全是0
应该是等于GmR/（1+（gm+gmb）2Rss）
略等于0
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