一个基础电路问题,MOS导通

衬底接电源时，你的vgs无法使沟道形成反型层！

小编有注意到这衬底电流有多大么

现在想想,我也觉的很难形成反型层.
可为什么VG=5V时NOMS是饱和导通的?
从图中看VbsPN结应该是导通的,可VbdPN结应该是截止的
要形成反形层.VG是不是应该是5V+Vth才可以?
从仿真的结果看电流绝大部份从漏极流到衬底,这又是为什么?
毕竟VbsPN结是导通的呀.

增大管子的尺寸再试试呢?

增大尺寸有什么作用呢?
我仿了一下,变化不大.

研究哈，，，，，，，

小编，NMOS管衬底应该接地。而不应该接电源。PMOS管衬底应该接电源。
最好去看下半导体物理里的MIS结构。

小编在用Spectre啊?

我知道.......
只是我今天误接了,所以想把这个情况了解清楚一下..

同意
mosfet是靠沟道导电的，衬底接高了，就不会产生沟道了，半导体的问题

不要只研究物理结构啊，软件不是智能的，看看它的算法是不是在误接后还成立吗?

关注此贴

没这么用的。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。