求助：版图中模拟地与数字地的分离
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请问大虾：我在版图中可否用N阱来隔离模拟地和数字地，即是把模拟地坐在N阱里，数字地不变，这样是否可以实现隔离
自己先顶
如果是普通的双阱工艺，就不存在模拟地做在N阱里的条件了，如果有一个深N阱，倒是可以。
普通双阱工艺可以加一个N阱环，环内的模拟地还加上接衬底的环。不知道你说的做到N阱里是不是指的做的N阱环内。
三井工艺可以实现模拟地数字地完全隔离，如果是普通双井工艺要实现隔离，所有的衬底只能接到一个地上。不知道lz问的是不是这个意思
谢谢，是N阱环内，
统一,同意！
请问一下，我把模拟的电源和地做在N阱环内，把模拟电路包围起来，而环内的模拟电路的地还是跟衬底连通的，而外面的数字电路的地没有加N阱环，LVS的结果是数字电路中的MOS管的衬底全部认成了模拟的地，但是直接跟数字地相连的MOS管的源极却没有问题，这是怎么回事
受教了
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