请教仿过运放的老手关于调两级运放的问题

最近在仿一个运放,在满足GBW和相位裕度的情况下,增益一直上不去,调了好久都只是在50~60dB之间徘徊,Allen书上讲的提高宽长比,减小尾电流的方法都尝试过,效果不明显,不知道各位有没有什么建议.
      用的是IBM .13um的库,电源电压1.5V,沟道长度1um,运放的结构是经典的两级运放,p管差分输入,单端输出,带米勒补偿和调零电阻,负载电容1pF,指标是Gain>70dB,PM>70度,GBW=100MHz,其它指标不做限定

您不贴一个图上来看看，或是你的网表?
btw，ibm，0.13um的tox是多少啊

建议用3.3V的管子试一下，应该就能做到了

回二楼tox=3.12e-9,手算的时候,Kn大概是95u,Kp大概465u,很郁闷添加不了附件

4# shadow_cuk
首先确定你的管子都在饱和区，
1尝试增加T5，6，7的L
2减少电流

回三楼  指标要求要用1.5V电压
回五楼  我调下试试

回复6楼
1.5V的电压不代表不能用3.3V的管子。
这个工艺我用过，用3.3V能够有效增加ron，我们都是这样做的

回7楼,为啥3.3V的管子ron会提高呢,,IBM的库里面有普通的fet,还有lvtfet,lpfet,zvtfet等等,选择什么样的管子有什么诀窍么

其实主要是3.3V的管子是厚氧化层（52A），1.2V的管子是薄氧化层（22A）
你所提到的lvtfet,lpfet,zvtfet，分别是low vth, low power(high vth), zero vth。
这些管子往往有要单独付费的mask层，你要看你是否允许用了

另外，图中T3,T4的P管的衬底最好接在vdd上。

非常感谢moorehuang的指点,换了3.3V的管子之后果然增益上来了,两个星期多以来的困惑终于解开了,开始还一直以为是自己手算有问题,压根没想到跟管子有关联.这回得好好做个总结.
回头我特地看了下库文件,普通nfet的tox是31.2A,nfet33是59A,这个只能说3.3V的管子vth要高些,还是不太理解这样如何使得nfet33的ron大于nfet

来学习了。

ron是啥呀?

回复楼上，T3，T4还是衬底和源接在一起比较好，大的共模抑制比

小编的这个指标的确是很高吧

另外为什么不采用调零电阻呢

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。