高速电路中的SiGe工艺的Bipolar
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在做高速电路时使用SiGe工艺的Bipolar以获得高fT,但是在使用时会不会引入一个零极点对?在小电流下该零极点对是重合并抵消的，当电流变大时零极点对会分裂，零点不变，极点向后移动?如果是，这个零极点对与什么参数有关?
你都说了，与电流有关。
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