请问X点电位应为多少

极限是4V吧，Vdd-Vth

5V, as there is no gate current.

大约为5V

是4V吧，应该有阈值损失。

1# bigband
4V与5V有意义么?
不要钻这种牛角尖
没意思啦，只要知道这个充电/导通到关断的过程就OK啦

在X点电位上升的过程中，由于体效应的作用，阈值电压会变大。
同时NMOS在亚阈值区还会继续流过电流，所以。

我认为是4V。而且如果VDD=2V以下时，这个问题格外重要！

稳态 5V

8# kuohsi
肯定不会在4V上，呵呵
这个问题说白了就是那个nmos管的Roff与负载gate leakage阻抗的分压么
有什么好揪的

X处应该不会有电流吧  那里不是栅极么

vdd-vth

gate也有漏电

学习了，原来存在栅的漏电流啊，不知道源衬底之间的反偏PN管的饱和电流有没影响呢

14# guang3000
所有的gate都有漏电，但是到90/65尤为明显
所以对于这个5V的来说，电压肯定接近电源了，因为leakage非常小，当然包括反偏pn junction leakage，
其实最终这个点电压由几个高阻的阻抗分压决定，但是NMOS的Roff肯定在这几个高阻中还是算比较小的

最终肯定是5V

16# zhuleiyacht
最终到什么时候，到世界末日肯定是5V
实际上考虑漏电超过4V再上升及其缓慢了

支持！

4V 肯定是不对的,需要考虑压阈值导通,电压会接近5V.  15#说得有道理

同意4V~

大约为5V

直流情况下是5V吧

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