求教SMIC EE工艺中GT GP CG几个层的理解
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另外，求一下 SMIC18 EE 的design rule
这样问问题是问不到答案的
SMIC EE工艺中GT:高压MOS的栅极
GP：低压MOS的栅极
CG：这个好像是PIP电容中的层次
（我没用过0.18umee的，倒是用过0.35umee的，如果我没记错的话应该差不多，你在仔细看看）
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