求教:关于Ids电流公式计算和仿真的问题
一个nmos
Vgs=1.2v
Vgs-Vthn=0.55v < Vds=0.75v 所以这个nmos管是工作在饱和区的 根据公式 1/2×u×Cox×W/L×(Vgs-Vthn)的平方 如果考虑沟道长度调制效应还要乘以一个系数。 现在W/L=22 kn= u×Cox=80 根据公式计算这个nmos管子的Ids应该等于220uA 但是通过仿真出来的 结果是930nA
请大家帮忙看下
大家帮忙看下
body有偏压吗?
最好再给详细一点
衬底接地
--- Operating Point ---
V(n002): 1.2 voltage
V(n001): 0.75 voltage
Id(M2): 0.000221272 device_current
Ig(M2): 0 device_current
Ib(M2): -7.6e-013 device_current
Is(M2): -0.000221272 device_current
I(V2): -0.000221272 device_current
I(V1): 0 device_current
是220u啊,只不过模型有点不同
负载什么的呢?
请问你衬底接的gnd吗?
恩,一个nmos ,两个电源,衬底、源都接地,就没必要附图了,太卡,重新画的,生成的网表
* D:\LTspiceIV\Draft3.asc
M1 N001 N002 0 0 N_1u l=1u w=22u
V1 N002 0 1.2
V2 N001 0 0.75
.model NMOS NMOS
.model PMOS PMOS
.lib D:\LTspiceIV\lib\cmp\standard.mos
.lib cmosedu_models.txt
.op
.backanno
.end
谢谢楼上 请问
这个管子的s端电压比较高 1.2V 会不会是体效应的 导致Vth的升高 所以电流变小的?
没听明白,如果s=1.2,g=2.4,d=1.95,b=gnd 的话
--- Operating Point ---
V(d): 1.95 voltage
V(g): 2.4 voltage
V(s): 1.2 voltage
Id(M1): 7.1942e-005 device_current
Ig(M1): 0 device_current
Ib(M1): -3.17e-012 device_current
Is(M1): -7.1942e-005 device_current
I(V3): 0 device_current
I(V2): -7.1942e-005 device_current
I(V1): 7.1942e-005 device_current
衬底接源
--- Operating Point ---
V(d): 1.95 voltage
V(g): 2.4 voltage
V(s): 1.2 voltage
Id(M1): 0.000221272 device_current
Ig(M1): 0 device_current
Ib(M1): -7.6e-013 device_current
Is(M1): -0.000221272 device_current
I(V3): 0 device_current
I(V2): -0.000221272 device_current
I(V1): 0.000221272 device_current
Id(M1): 7.1942e-005 device_current
d(M1): 0.000221272 device_current
71uA 和 221uA
hanjingyu2009
我用的 是spectre 你用是什么工具?
ltspice 免费的
spectre也一样,就是设置有点不同。结果一样的吧。
当然我不了解你的具体情况
哈哈 哈哈
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婵犵數濮烽弫鍛婃叏娴兼潙鍨傜憸鐗堝笚閸婂爼鏌涢鐘插姎闁汇倗鍋撶换婵嬫濞戝崬鍓伴梺鍛婅壘缂嶅﹪鐛弽銊︾秶闁告挆鍚锋垶绻濆▓鍨仩闁靛牊鎮傚濠氭偄閻戞ê鏋傞梺鍛婃处閸嬪嫯顤傞梻鍌欑閹诧繝宕洪崘顔肩;闁瑰墽绮悡鐔煎箹濞n剙鈧倕岣块幇鐗堢厵妞ゆ棁鍋愰崺锝団偓瑙勬礃濞茬喖鐛惔銊﹀癄濠㈣泛鑻獮鎺楁⒒娴gǹ鎮戠紒浣规尦瀵彃饪伴崼婵囪緢濠电姴锕ら悧濠囨偂閺囩喆浜滈柟鏉垮閹偐绱掗悩绛硅€块柡灞剧☉椤繈顢橀悩鍐叉珰闂備浇顕栭崰娑綖婢跺瞼绠旈柣鏃傚帶閻愬﹦鎲稿鍥╀笉闁荤喖鍋婂〒濠氭煏閸繂鏆欏┑锛勬櫕缁辨帡顢欐總绋垮及濡ょ姷鍋涢ˇ顖濈亙闂佸憡渚楅崰妤€鈻嶉姀銈嗏拺閻犳亽鍔屽▍鎰版煙閸戙倖瀚�