请教---MOS管有源区接触距栅极距离对MOS管匹配的影响
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大家好，我是新手，《模拟版图的艺术》上说栅的接触应该离有源区远一点，以防止接触的silicidation影响沟道上方多晶硅栅的功函数，那么请问如果有源区接触距离栅极很近的话是不是也产生相似影响呢?我用的是Chrt0.35的工艺，Pcell中该距离的默认值是0.3um。如果有影响的话，这个值是不是小了呢?理想距离是多少呢?谢谢大家！
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