运放中偏置电流镜栅极的去耦电容值一般取多大？
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大家好，请问运放中偏置电流镜栅极的去耦电容值一般取多大合适呢?
我查了一下edaboard有人用了15600平方微米的NMOS管，大概有一百多个pF，板上的人都说他用的太大了，说面积太大难以避免栅极绝缘层的针孔。我不太清楚这个值怎么选，请大家指教，谢谢！
我查了一下edaboard有人用了15600平方微米的NMOS管，大概有一百多个pF，板上的人都说他用的太大了，说面积太大难以避免栅极绝缘层的针孔。我不太清楚这个值怎么选，请大家指教，谢谢！
好像是有点大，呼唤大牛出来给讲讲
这个一般都是剩下的空间都填电容吧
同上，一般都是用最后的剩余面积来补上电容的。要看你的信号频率是多少了！
集成电路还是 分立器件啊
集成电路里面怎么可能用这么大的电容啊
5# 模头
总去耦电容才几十pf，一个栅偏置就要这么多
那你芯片得多大
这个不用这么大吧
主要看你的芯片面积。要拿剩下的芯片面积来做电容。如果剩下的不多就要重其他方面考虑从而减少电容值
这个芯片生产出来能卖得出去吗?
9# tbird688
看你对电流精度的要求
100多p确实很大，放几个大尺寸的管子就可以了，或者加电阻
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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