问一个bandgap的问题。

对于传统的的Bandgap， Vref=Vbe+VT*(ln(n))*R2/R1. n为bipolar的面积比，理想情况下，VT*(ln(n))*R2/R1的温度系数是常数，实际中它的温度系数往往是随温度变化的，我碰到过随温度而变大的情况，也有随温度变小的情况。而一般Vbe的温度系数为负，其绝对值随温度增加是增大的。仿真发现当VT*(ln(n))*R2/R1的温度系数随温度增大而减小或者变化很小时，Bandgap的温度特性会更稳定，对器件的匹配还有不同的corner敏感度相对较低，但是电压可能在整个温度范围内会变化较大点。当VT*(ln(n))*R2/R1的温度系数随温度增大而增大时，Bandgap很可能就会对电阻的阻值，匹配情况相对较为敏感，这种情况下优点是bandgap的输出电压在整个温度范围内变化应该会较小。不知道在设计过程中如何考虑这个问题，如何调整参数?同样一个工艺库下如何改变VT*(ln(n))*R2/R1的温度系数随温度的变化情况?

还应当考虑amp的offset 随温度变化特性

2# thewolftotem
offset的温度系数一般多大呢?Vbe的温度系数一般在1.5~2mV/K左右，我想offset的温度系数相对这个值应该是比较小的吧?offset温度系数的极性（+-）应该和offset值的极性是相关的，而offset的极性我觉得是具有不确定性，那设计中offset随温度变化特性如何考虑?

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