请教一个问题
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图中VSB增大，VTH增大，体效应增大，但是gmb反比于VSB的1/2次方，此时gmb又是减小的，小信号的体效应变得不明显，这是为什么?还有当VSB=0时无体效应，但若是VSB趋于无穷大，那么gmb趋于0，也相当于没体效应，这是什么原因?
还有就是好像VSB如果是负值的话，只能小到使得2F+VSB=0，这是为什么?
第一问：跨导也是变化的，这个条件不足，不好判断；
第二问：讨论无穷电压没有意义，管子早击穿了；
第三问：是的，因为衬底是反偏的，2F是反型点，如果再VSB再负，衬底要反型。MOS不就是在衬底反型时工作的吗?
我理解gmb实际上是Vth对Vsb求一次导后得到的参数。虽然随着Vsb的增大，Vth也增大，但这并不意味着它的一次导也要随之增大，而这恰好说明这个函数的凹凸性。
所以小编说的第一个问题这样理解是没有问题的；
而第二个问题和第一个问题本质是一个问题；
第三问，当Vsb为负时（假设针对nmos），此时衬底和源端的二极管正偏了，应该超不过2F顶楼上
但是体效应增大是指Gmb大，还是Vt大?“第三问，当Vsb为负时（假设针对nmos），此时衬底和源端的二极管正偏了，应该超不过2F”
只要VSB为负，衬底和源端不都是正偏的吗?当表面势达到2F，衬底反型，导电。怎么把这个2F与VSB联系起来?申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
