首页 > 微波/射频 > RFIC设计学习交流 > tsmc 0.35 工艺的带隙基准可以做到多大电压

tsmc 0.35 工艺的带隙基准可以做到多大电压

录入:edatop.com    阅读:
我做的只是1.18v的样子,以前做过别的工艺都能 达到1.2以上。不知道这个工艺就这样了还是我做错了

个人觉得如果固定n=8的话, 就说明TSMC的PNP的VBE的负温度系数较小,这是好事啊。试试按比例减少所 有电阻,这样PTAT电流= Vt lnn / R1 变大,VBE的偏置电压也变大些?

smic的可以做的1.2多

不是工艺的问题 没调对 电压稍微有点低

带隙电路输出的电压是可以调节的~
嘿嘿

這個參考電壓不知道調高調低有什麼用處?基本上越低越難設計~~高的還好

如果你用1V的电源,带隙基准就不可能到1.2v了,肯定要小于1v的,所以带隙基准是根据电源电压来决定最终值的。

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

上一篇:大家来讨论一下这个CP_LPF_VCO电路
下一篇:看两个电容

射频和天线工程师培训课程详情>>

  网站地图