请问：在电路设计中MOS和三极管有什么不同？分别怎么运用呢？

知道的给讲解一下啊，看书看的很困惑啊。

Bipolar的输入电阻小，而MOS管的输入电阻理论上是无穷大
Bipolar的跨导一般比MOS的大，所以输入范围比较小

我想问的是一般如何使用，分别用在什么场合号一点?一般说用Bipolar的速度会比MOS的快，对不对?如果对那原因是什么?

请知道的解答一下啊

自己顶起啊。

我印象中好像Bipolar得速度没有MOS快，
但是Bipolar的fT比MOS管的大，
所以Biploar一般用在频率比较高的地方吧

作为OP的差分输入，三极管的失调级别小很多滴！

频率高了不是速度快吗?

为什么啊?由什么导致的呢?

MOS is voltage controlled current source, while BJT is current controlled current source.  Since BJT uses current as the control component, BJT needs more charges, in turn longer time to get the desired operation.  But MOS needs to establish the reverse-layer first before it can perform as a current source, or in other words, MOS has a significant threshold voltage.  The capacitances in MOS (much larger than BJT's) could be changed dramatically at high frequencies, which limits the use of MOS in high frequency applications.  This is my HO.

从功耗、频率上考虑吧

回答的好像有点矛盾啊。我知道MOS是电压驱动器件，BJT是电流驱动器件，你说MOS的栅电容要比BJT的大，MOS要工作必须要对电容充电使其达到反型，MOS可以在高频下被充满达到反型，然后又说不能在高频下应用?     “The capacitances in MOS (much larger than BJT's) could be changed dramatically at high frequencies, which limits the use of MOS in high frequency applications. ”这是怎么说呢?

因为Bipolar的Vov比饱和状态下MOS管的小很多

我的理解是
MOS的主要电容：oxide(reverse layer)的电容+reverse biased的电容
BJT的主要电容：reverse biased的电容
MOS的充放过程很容易就比BJT的要长，即使MOS可以用先进的工艺，使尺寸可以变小，但实际上薄氧化层，高电场会使电容大致保持一个量级，
MOS的更多的寄生电容是高频电路比较忌讳的，通常需要额外的补偿措施，这也是MOS在高频应用中受限制的地方之一。
总之，在使用同样的工艺下，BJT一般是比MOS更快的，BJT的寄生电容效应小使其更多地被采用于高速电路中

Bipolar的1/f噪声要比MOS关小很多，在低噪声放大器中有应用

BJT的BASE is much thinner than TOX of MOS

我也来说说

同意这位同志的意见，我认为限制器件速度的因素有两点，一个是载流子迁移速度，一个是器件电容，BJT器件为电流型器件，对电流敏感，且载流子种类和数量都很可观，结电容非常小，故而可以达到很高的速度，MOS器件载现在的工艺下只有一种，并且电容很大，这导致充放电时间较长，所以频率受限

呵呵！同问哦！

Check Paul/Gray's book

三极管是电流器件，base极有电流，mos管是电压器件，直流或低频情况下栅极无电流，这会近似认为栅极的输入电阻无穷，当然在频率增大的情况下，栅极因为电容的存在会产生额外的信号通路。由三极管和mos管的I-V特性可知，三极管是指数型器件，mos是平方律器件，所以同样的情况下，三极管的跨导会大于mos管的跨导，即放大特性会好于mos管。但是MOS管易于集成和制造，所以现在的主流工艺是mos管。

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